Home » Индекс продукции » Дискретные полупроводники » Транзисторы ( BJT ) - Массивы » PBSS4160DS,115

PBSS4160DS,115

Описание :
TRANS DUAL NPN 60V 1A 6TSOP
Производители:
NXP Semiconductors
PBSS4160DS,115

Информация продукции

категория
Транзисторы ( BJT ) - Массивы
упаковка
Лента и Reel ( TR)
серия
-
транзистор Тип
2 NPN ( Dual)
В настоящее время - Collector (Ic ) ( Max)
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя ( Max)
60V
Vce Насыщенность ( Max) @ IB, IC
250 мВ @ 100 мА , 1А
В настоящее время - Collector среза ( Max)
100нА
DC коэффициент усиления по току (HFE ) ( Min) @ Ic , Vce
200 @ 500mA, 5V
Мощность - Максимальная
420mW
Частота - Переход
220 МГц
Тип установки
для поверхностного монтажа
Упаковка /
SC- 74 , SOT -457
Пакет прибора поставщика
6 - TSOP

Покупатели,которые купили этот товар, также приобрели