Главная » Индекс продукции » Дискретные полупроводники » Полевые транзисторы - Массивы
покупать PDF Фото Номер в каталоге/ фото Производители Описание упаковкасерияFET ТипFET ХарактеристикаСлейте в источник напряжения ( VDSS )Род тока - постоянный Drain (Id ) при 25 ° CРДС на ( Max) @ Id , VgsVgs ( й ) ( Max) @ IdЗаряд затвора ( Qg ) @ VgsВходная емкость ( Ciss ) @ VdsМощность - МаксимальнаяТип установкиУпаковка /Пакет прибора поставщика
STS1DN45K3 STS1DN45K3 STMicroelectronics MOSFET N- CH 450V 0.5A 8 - SOIC Cut Tape (CT )SuperMESH3 ™2 N- Channel ( Dual)стандарт450V500mA3,8 Ом @ 500 мА , 10 В4.5V @ 50 мкА6nC @ 10V150pF @ 25V1.3Wдля поверхностного монтажа8 - SOIC ( 0,154 \" , 3.90mm Ширина )8 -SO
STS1DN45K3 STS1DN45K3 STMicroelectronics MOSFET N- CH 450V 0.5A 8 - SOIC Digi- Reel®SuperMESH3 ™2 N- Channel ( Dual)стандарт450V500mA3,8 Ом @ 500 мА , 10 В4.5V @ 50 мкА6nC @ 10V150pF @ 25V1.3Wдля поверхностного монтажа8 - SOIC ( 0,154 \" , 3.90mm Ширина )8 -SO
NTLJD3119CTAG NTLJD3119CTAG ON Semiconductor MOSFET N / P -CH 20V 4.6 / 4.1A 6WDFN Лента и Reel ( TR)-N и P - ChannelЛогический уровень20V2.6A , 2.3а65 МОм @ 3.8A , 4.5V1В @ 250μA3.7nC @ 4.5V271pF @ 10V710mWдля поверхностного монтажа6 - WDFN Открытые Pad6 - WDFN ( 2x2 )
NTLJD3119CTAG NTLJD3119CTAG ON Semiconductor MOSFET N / P -CH 20V 4.6 / 4.1A 6WDFN Cut Tape (CT )-N и P - ChannelЛогический уровень20V2.6A , 2.3а65 МОм @ 3.8A , 4.5V1В @ 250μA3.7nC @ 4.5V271pF @ 10V710mWдля поверхностного монтажа6 - WDFN Открытые Pad6 - WDFN ( 2x2 )
NTLJD3119CTAG NTLJD3119CTAG ON Semiconductor MOSFET N / P -CH 20V 4.6 / 4.1A 6WDFN Digi- Reel®-N и P - ChannelЛогический уровень20V2.6A , 2.3а65 МОм @ 3.8A , 4.5V1В @ 250μA3.7nC @ 4.5V271pF @ 10V710mWдля поверхностного монтажа6 - WDFN Открытые Pad6 - WDFN ( 2x2 )
FW282-TL-E FW282-TL-E ON Semiconductor MOSFET N- CH DUAL 35V 6A 8SOP Лента и Reel ( TR)-2 N- Channel ( Dual)Логический уровень35V6A37 МОм @ 6А, 10В-10 ° С @ 10V470pF @ 20V2.2Wдля поверхностного монтажа8 - SOIC ( 0.173 \" , 4.40mm Ширина )8 - SOP
FW707-TL-E FW707-TL-E ON Semiconductor MOSFET P -CH DUAL 30V 8A 8SOP Лента и Reel ( TR)-2 P - Channel ( Dual)Логический уровень30V26 МОм @ 8A, 10V-18nC @ 10V900pF @ 10V2,5 Втдля поверхностного монтажа8 - SOIC ( 0.173 \" , 4.40mm Ширина )8 - SOP
FW813-TL-H FW813-TL-H ON Semiconductor MOSFET N- CH DUAL 60V 5A 8SOP Лента и Reel ( TR)-2 N- Channel ( Dual)Логический уровень60V5A49 МОм @ 5A, 10V-15nC @ 10V725pF @ 20V2,3 Втдля поверхностного монтажа8 - SOIC ( 0.173 \" , 4.40mm Ширина )8 - SOP
FW906-TL-E FW906-TL-E ON Semiconductor MOSFET N / P -CH 30V 8A 8SOP Лента и Reel ( TR)-N и P - ChannelЛогический уровень30V8А , 6А24 МОм @ 8A, 10V-12nC @ 10V690pF @ 10V2,5 Втдля поверхностного монтажа8 - SOIC ( 0.173 \" , 4.40mm Ширина )8 - SOP
FW907-TL-E FW907-TL-E ON Semiconductor MOSFET N / P -CH 30V 10A 8SOP Лента и Reel ( TR)-N и P - ChannelЛогический уровень30V10А17 МОм @ 10А, 10В-17nC @ 10V1000 пФ @ 10V2,3 Втдля поверхностного монтажа8 - SOIC ( 0.173 \" , 4.40mm Ширина )8 - SOP
- STS1DNF20 STS1DNF20 STMicroelectronics MOSFET N- CH 8SOIC *
BSD223P H6327 BSD223P H6327 Infineon Technologies MOSFET P -CH 20V 390MA SOT363 Лента и Reel ( TR)OptiMOS ™2 P - Channel ( Dual)Логический уровень20V390mA1,2 Ом @ 390mA , 4.5V1.2V @ 1.5μA0.62nC @ 4.5V56pF @ 15V250mWдля поверхностного монтажа6 - VSSOP , SC- 88 , SOT -363PG- SOT363-6
BSL308C L6327 BSL308C L6327 Infineon Technologies МОП-транзистор P / N -CH 30V 6TSOP Лента и Reel ( TR)OptiMOS ™N и P - ChannelЛогический уровень30V2.3a80 МОм @ 2A, 10V2В @ 11μA500nC @ 10V275pF @ 15V500mWдля поверхностного монтажаSC- 74 , SOT -4576 - TSOP
FW274-TL-E FW274-TL-E ON Semiconductor MOSFET N- CH 30V 6A DUAL 8SOP Лента и Reel ( TR)-2 N- Channel ( Dual)Логический уровень30V6A37 МОм @ 6А, 10В2.6V @ 1 мА9.1nC @ 10V490pf @ 10V2.2Wдля поверхностного монтажа8 - SOIC ( 0.173 \" , 4.40mm Ширина )8 - SOP
FW811-TL-E FW811-TL-E ON Semiconductor MOSFET N- CH 35V 8A DUAL 8SOP Лента и Reel ( TR)-2 N- Channel ( Dual)Логический уровень35V24 МОм @ 8A, 10V2.6V @ 1 мА13nC @ 10V660pF @ 20V2.2Wдля поверхностного монтажа8 - SOIC ( 0.173 \" , 4.40mm Ширина )8 - SOP
FW812-TL-E FW812-TL-E ON Semiconductor MOSFET N- CH 35V 10A DUAL 8SOP Лента и Reel ( TR)-2 N- Channel ( Dual)Логический уровень35V10А17 МОм @ 10А, 10В2.6V @ 1 мА19nC @ 10V960pF @ 20V2,5 Втдля поверхностного монтажа8 - SOIC ( 0.173 \" , 4.40mm Ширина )8 - SOP
WPB4002 WPB4002 ON Semiconductor MOSFET N- CH 600V 23A TO3PB лоток-2 N- Channel ( Dual)стандарт60023A360 МОм @ 11.5A , 10В5V @ 1 мА84nC @ 10V2200pF @ 30V2,5 Втсквозное отверстиеК - 3P- 3 , СК- 65-3К - 3PB
MVDF2C03HDR2G MVDF2C03HDR2G ON Semiconductor MOSFET COMPL 30V 4.1A 8 - SOIC Лента и Reel ( TR)-N и P -канальный ДополнительныеЛогический уровень30V4.1A , 3А70 МОм @ 3A , 10V3В @ 250μA16nC @ 10V630pF @ 242Wдля поверхностного монтажа8 - SOIC ( 0,154 \" , 3.90mm Ширина )8 -SO
- NVMD6N03R2G NVMD6N03R2G ON Semiconductor MOSFET N- CH 30V 6A 8SOIC Лента и Reel ( TR)-2 N- Channel ( Dual)Логический уровень30V6A32 МОм @ 6А, 10В2.5 @ 250μA30nC @ 10V950pF @ 241.29Wдля поверхностного монтажа8 - SOIC ( 0,154 \" , 3.90mm Ширина )8 - SOIC
BSD235N H6327 BSD235N H6327 Infineon Technologies MOSFET N- CH DUAL 20V SOT363 Лента и Reel ( TR)OptiMOS ™2 N- Channel ( Dual)Логический уровень20V950mA350 МОм @ 950mA , 4.5V1.2V @ 1.6μA0.32nC @ 4.5V63pF @ 10V500mWдля поверхностного монтажа6 - VSSOP , SC- 88 , SOT -363PG- SOT363-6
BSD235N H6327 BSD235N H6327 Infineon Technologies MOSFET N- CH DUAL 20V SOT363 Cut Tape (CT )OptiMOS ™2 N- Channel ( Dual)Логический уровень20V950mA350 МОм @ 950mA , 4.5V1.2V @ 1.6μA0.32nC @ 4.5V63pF @ 10V500mWдля поверхностного монтажа6 - VSSOP , SC- 88 , SOT -363PG- SOT363-6
BSD235N H6327 BSD235N H6327 Infineon Technologies MOSFET N- CH DUAL 20V SOT363 Digi- Reel®OptiMOS ™2 N- Channel ( Dual)Логический уровень20V950mA350 МОм @ 950mA , 4.5V1.2V @ 1.6μA0.32nC @ 4.5V63pF @ 10V500mWдля поверхностного монтажа6 - VSSOP , SC- 88 , SOT -363PG- SOT363-6
BSL207N L6327 BSL207N L6327 Infineon Technologies MOSFET N- CH DUAL 20V 2.1A TSOP - 6 Лента и Reel ( TR)OptiMOS ™2 N- Channel ( Dual)Логический уровень20V2.1A70 МОм @ 2.1A , 4.5V1.2V @ 11μA2.1nC @ 4.5V419pF @ 10V500mWдля поверхностного монтажаSC- 74 , SOT -457PG- TSOP6-6
BSL207N L6327 BSL207N L6327 Infineon Technologies MOSFET N- CH DUAL 20V 2.1A TSOP - 6 Cut Tape (CT )OptiMOS ™2 N- Channel ( Dual)Логический уровень20V2.1A70 МОм @ 2.1A , 4.5V1.2V @ 11μA2.1nC @ 4.5V419pF @ 10V500mWдля поверхностного монтажаSC- 74 , SOT -457PG- TSOP6-6
BSL207N L6327 BSL207N L6327 Infineon Technologies MOSFET N- CH DUAL 20V 2.1A TSOP - 6 Digi- Reel®OptiMOS ™2 N- Channel ( Dual)Логический уровень20V2.1A70 МОм @ 2.1A , 4.5V1.2V @ 11μA2.1nC @ 4.5V419pF @ 10V500mWдля поверхностного монтажаSC- 74 , SOT -457PG- TSOP6-6
BSL806N L6327 BSL806N L6327 Infineon Technologies MOSFET N- CH 20V 2.3a 6TSOP Лента и Reel ( TR)OptiMOS ™2 N- Channel ( Dual)Логический уровень20V2.3a57 МОм @ 2.3a , 2.5750mV @ 11μA1.7nC @ 2.5V259pF @ 10V500mWдля поверхностного монтажаSC- 74 , SOT -457PG- TSOP6-6
BSL806N L6327 BSL806N L6327 Infineon Technologies MOSFET N- CH 20V 2.3a 6TSOP Cut Tape (CT )OptiMOS ™2 N- Channel ( Dual)Логический уровень20V2.3a57 МОм @ 2.3a , 2.5750mV @ 11μA1.7nC @ 2.5V259pF @ 10V500mWдля поверхностного монтажаSC- 74 , SOT -457PG- TSOP6-6
BSL806N L6327 BSL806N L6327 Infineon Technologies MOSFET N- CH 20V 2.3a 6TSOP Digi- Reel®OptiMOS ™2 N- Channel ( Dual)Логический уровень20V2.3a57 МОм @ 2.3a , 2.5750mV @ 11μA1.7nC @ 2.5V259pF @ 10V500mWдля поверхностного монтажаSC- 74 , SOT -457PG- TSOP6-6
Go to page: