Главная » Индекс продукции » Дискретные полупроводники » Полевые транзисторы - Single
покупать PDF Фото Номер в каталоге/ фото Производители Описание упаковкасерияFET ТипFET ХарактеристикаСлейте в источник напряжения ( VDSS )Род тока - постоянный Drain (Id ) при 25 ° CРДС на ( Max) @ Id , VgsVgs ( й ) ( Max) @ IdЗаряд затвора ( Qg ) @ VgsВходная емкость ( Ciss ) @ VdsМощность - МаксимальнаяТип установкиУпаковка /Пакет прибора поставщика
ZXMP6A13FTA ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated MOSFET P -CH 60V 900mA SOT23-3 Cut Tape (CT )-MOSFET P -канальный , металл-оксид-Логический уровень60V900 мА ( Ta)400 МОм @ 900 мА , 10 В1В @ 250μA5.9nC @ 10V219pF @ 30V625mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
ZXMP6A13FTA ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated MOSFET P -CH 60V 900mA SOT23-3 Digi- Reel®-MOSFET P -канальный , металл-оксид-Логический уровень60V900 мА ( Ta)400 МОм @ 900 мА , 10 В1В @ 250μA5.9nC @ 10V219pF @ 30V625mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET 650V 46A TO- 220-3 трубкаCoolMOS ™ C7MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт650В46А (Tc )45 МОм @ 24.9A , 10В4V @ 1.25mA93nC @ 10V4340pF @ 400227Wсквозное отверстиеК - 220-3К - 220-3
ZXM61N03FTA ZXM61N03FTA Diodes Incorporated MOSFET N- CH 30V 1.4A SOT23-3 Лента и Reel ( TR)-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень30V1.4A (Та)220 МОм @ 910mA , 10V1В @ 250μA4.1nC @ 10V150pF @ 25V625mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
IXTR170P10P IXTR170P10P IXYS MOSFET P -CH 100V 108A ISOPLUS247 трубкаPolarP ™MOSFET P -канальный , металл-оксид-стандарт100V108A (Tc )13 МОм @ 85A , 10V4V @ 1 мА240nC @ 10V12600pF @ 25V312Wсквозное отверстиеISOPLUS247 ™ISOPLUS247 ™
ZXM61N03FTA ZXM61N03FTA Diodes Incorporated MOSFET N- CH 30V 1.4A SOT23-3 Cut Tape (CT )-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень30V1.4A (Та)220 МОм @ 910mA , 10V1В @ 250μA4.1nC @ 10V150pF @ 25V625mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
IPB65R045C7ATMA1 IPB65R045C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N- CH 650V 46A TO- 263-3 Лента и Reel ( TR)CoolMOS ™ C7MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт650В46А (Tc )45 МОм @ 24.9A , 10В4V @ 1.25mA93nC @ 10V4340pF @ 400227Wдля поверхностного монтажаК - 263-3 , D²Pak ( 2 Провода + Tab) , к- 263ABPG- TO263
ZXM61N03FTA ZXM61N03FTA Diodes Incorporated MOSFET N- CH 30V 1.4A SOT23-3 Digi- Reel®-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень30V1.4A (Та)220 МОм @ 910mA , 10V1В @ 250μA4.1nC @ 10V150pF @ 25V625mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
IPB65R045C7ATMA1 IPB65R045C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N- CH 650V 46A TO- 263-3 Cut Tape (CT )CoolMOS ™ C7MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт650В46А (Tc )45 МОм @ 24.9A , 10В4V @ 1.25mA93nC @ 10V4340pF @ 400227Wдля поверхностного монтажаК - 263-3 , D²Pak ( 2 Провода + Tab) , к- 263ABPG- TO263
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTA Diodes Incorporated MOSFET N- CH 60V 1.2A SOT23-3 Лента и Reel ( TR)-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень60V1.2A (Та)250 МОм @ 1.8A , 10V3В @ 250μA3.2nC @ 10V166pF @ 40V625mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
IPB65R045C7ATMA1 IPB65R045C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N- CH 650V 46A TO- 263-3 Digi- Reel®CoolMOS ™ C7MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт650В46А (Tc )45 МОм @ 24.9A , 10В4V @ 1.25mA93nC @ 10V4340pF @ 400227Wдля поверхностного монтажаК - 263-3 , D²Pak ( 2 Провода + Tab) , к- 263ABPG- TO263
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTA Diodes Incorporated MOSFET N- CH 60V 1.2A SOT23-3 Cut Tape (CT )-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень60V1.2A (Та)250 МОм @ 1.8A , 10V3В @ 250μA3.2nC @ 10V166pF @ 40V625mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
IPW90R120C3 IPW90R120C3 Infineon Technologies MOSFET N- CH 900V 36A TO- 247 трубкаCoolMOS ™MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт900V36А (Tc )120 МОм @ 26A , 10V3.5 @ 2.9mA270nC @ 10V6800pF @ 100V417Wсквозное отверстиеК - 247-3PG- TO247-3
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTA Diodes Incorporated MOSFET N- CH 60V 1.2A SOT23-3 Digi- Reel®-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень60V1.2A (Та)250 МОм @ 1.8A , 10V3В @ 250μA3.2nC @ 10V166pF @ 40V625mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
ZXM61N02FTA ZXM61N02FTA Diodes Incorporated MOSFET N- CH 20V 1.7A SOT23-3 Лента и Reel ( TR)-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень20V1.7A (Та)180 МОм @ 930mA , 4.5V700mV @ 250μA3.4nC @ 4.5V160pF ​​@ 15V625mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
IXFX120N20 IXFX120N20 IXYS MOSFET N- CH 200V 120A PLUS247 трубкаHiPerFET ™MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт200В120A (Tc )17 МОм @ 60A , 10V4V @ 8 мА300nC @ 10V9100pF @ 25V560Wсквозное отверстиеК - 247-3PLUS247 ™ -3
ZXM61N02FTA ZXM61N02FTA Diodes Incorporated MOSFET N- CH 20V 1.7A SOT23-3 Cut Tape (CT )-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень20V1.7A (Та)180 МОм @ 930mA , 4.5V700mV @ 250μA3.4nC @ 4.5V160pF ​​@ 15V625mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
APT106N60B2C6 APT106N60B2C6 Microsemi Power Products Group MOSFET N- CH 600V 106A TO- 247 трубкаCoolMOS ™MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт600106A (Tc )35 МОм @ 53A , 10V3.5 @ 3.4mA308nC @ 10V8390pF @ 25V833Wсквозное отверстиеК - 247-3 ВариантT -MAX ™ [ B2 ]
ZXM61N02FTA ZXM61N02FTA Diodes Incorporated MOSFET N- CH 20V 1.7A SOT23-3 Digi- Reel®-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень20V1.7A (Та)180 МОм @ 930mA , 4.5V700mV @ 250μA3.4nC @ 4.5V160pF ​​@ 15V625mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
IXFR140N30P IXFR140N30P IXYS MOSFET N- CH 300V 70A ISOPLUS247 трубкаPolar ™ HiPerFET ™MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт300В70А (Tc )26 МОм @ 70A , 10V5V @ 8 мА185nC @ 10V14800pF @ 25V300Wсквозное отверстиеISOPLUS247 ™ISOPLUS247 ™
DMP4051LK3-13 DMP4051LK3-13 Diodes Incorporated MOSFET P -CH 40V 7.2A DPAK Лента и Reel ( TR)-MOSFET P -канальный , металл-оксид-Логический уровень40V7.2A (Та)51 МОм @ 12А, 10В3В @ 250μA14nC @ 10V674pF @ 20V2.14Wдля поверхностного монтажаК - 252-3 , DPAK ( 2 Провода + Tab) , SC- 63К - 252-3
R6046FNZC8 R6046FNZC8 Rohm Semiconductor MOSFET N- CH 600V 46A TO- 3PF масса-MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт60046A (Та)93 МОм @ 23А, 10В5V @ 1 мА150nC @ 10V6100pF @ 25V120Wсквозное отверстиеК - 220-3 полный пакетК - 3PF
DMP4051LK3-13 DMP4051LK3-13 Diodes Incorporated MOSFET P -CH 40V 7.2A DPAK Cut Tape (CT )-MOSFET P -канальный , металл-оксид-Логический уровень40V7.2A (Та)51 МОм @ 12А, 10В3В @ 250μA14nC @ 10V674pF @ 20V2.14Wдля поверхностного монтажаК - 252-3 , DPAK ( 2 Провода + Tab) , SC- 63К - 252-3
STW55NM60ND STW55NM60ND STMicroelectronics MOSFET N- CH 600V 51A TO- 247 трубкаFDmesh ™ IIMOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт60051А (Tc )60 МОм @ 25.5A , 10В5V @ 250μA190nC @ 10V5800pF @ 50V350Wсквозное отверстиеК - 247-3К - 247-3
DMP4051LK3-13 DMP4051LK3-13 Diodes Incorporated MOSFET P -CH 40V 7.2A DPAK Digi- Reel®-MOSFET P -канальный , металл-оксид-Логический уровень40V7.2A (Та)51 МОм @ 12А, 10В3В @ 250μA14nC @ 10V674pF @ 20V2.14Wдля поверхностного монтажаК - 252-3 , DPAK ( 2 Провода + Tab) , SC- 63К - 252-3
IXFK120N20 IXFK120N20 IXYS MOSFET N- CH 200V 120A TO- 264AA трубкаHiPerFET ™MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт200В120A (Tc )17 МОм @ 60A , 10V4V @ 8 мА300nC @ 10V9100pF @ 25V560Wсквозное отверстиеК - 264-3 , К - 264AAК - 264AA ( IXFK )
ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA Diodes Incorporated MOSFET N- CH 20V 2.1A SOT23-3 Лента и Reel ( TR)-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень20V2.1A (Та)100 МОм @ 2.4A , 4.5V1В @ 250μA4.8nC @ 4.5V370pF @ 10V625mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
IXFR44N60 IXFR44N60 IXYS MOSFET N- CH 600V 38A ISOPLUS247 трубкаHiPerFET ™MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт60038А (Tc )130 МОм @ 22А, 10В4.5V @ 4 мА330nC @ 10V8900pF @ 25V400Wсквозное отверстиеISOPLUS247 ™ISOPLUS247 ™
ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA Diodes Incorporated MOSFET N- CH 20V 2.1A SOT23-3 Cut Tape (CT )-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень20V2.1A (Та)100 МОм @ 2.4A , 4.5V1В @ 250μA4.8nC @ 4.5V370pF @ 10V625mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA Diodes Incorporated MOSFET N- CH 20V 2.1A SOT23-3 Digi- Reel®-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень20V2.1A (Та)100 МОм @ 2.4A , 4.5V1В @ 250μA4.8nC @ 4.5V370pF @ 10V625mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
STL57N65M5 STL57N65M5 STMicroelectronics MOSF N CH 650V 4A PWRFLT 8X8HV Лента и Reel ( TR)MDmesh ™ VMOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт650В4.3A ( Ta) , 22.5A (Tc )69 МОм @ 20A , 10V5V @ 250μA110nC @ 10V4200pF @ 100V3Wдля поверхностного монтажа8 - PowerVDFNPowerFLAT ™ ( 8x8 )
DMN6068LK3-13 DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N- CH 60V 6A DPAK Лента и Reel ( TR)-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень60V6A (Та)68 МОм @ 12А, 10В3В @ 250μA10.3nC @ 10V502pF @ 30V2.12Wдля поверхностного монтажаК - 252-3 , DPAK ( 2 Провода + Tab) , SC- 63К - 252-3
STL57N65M5 STL57N65M5 STMicroelectronics MOSF N CH 650V 4A PWRFLT 8X8HV Cut Tape (CT )MDmesh ™ VMOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт650В4.3A ( Ta) , 22.5A (Tc )69 МОм @ 20A , 10V5V @ 250μA110nC @ 10V4200pF @ 100V3Wдля поверхностного монтажа8 - PowerVDFNPowerFLAT ™ ( 8x8 )
DMN6068LK3-13 DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N- CH 60V 6A DPAK Cut Tape (CT )-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень60V6A (Та)68 МОм @ 12А, 10В3В @ 250μA10.3nC @ 10V502pF @ 30V2.12Wдля поверхностного монтажаК - 252-3 , DPAK ( 2 Провода + Tab) , SC- 63К - 252-3
STL57N65M5 STL57N65M5 STMicroelectronics MOSF N CH 650V 4A PWRFLT 8X8HV Digi- Reel®MDmesh ™ VMOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт650В4.3A ( Ta) , 22.5A (Tc )69 МОм @ 20A , 10V5V @ 250μA110nC @ 10V4200pF @ 100V3Wдля поверхностного монтажа8 - PowerVDFNPowerFLAT ™ ( 8x8 )
DMN6068LK3-13 DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N- CH 60V 6A DPAK Digi- Reel®-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень60V6A (Та)68 МОм @ 12А, 10В3В @ 250μA10.3nC @ 10V502pF @ 30V2.12Wдля поверхностного монтажаК - 252-3 , DPAK ( 2 Провода + Tab) , SC- 63К - 252-3
STW77N65M5 STW77N65M5 STMicroelectronics MOSFET N- CH 650V 69A TO- 247 трубкаMDmesh ™ VMOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт650В69А (Tc )38 МОм @ 34.5A , 10В5V @ 250μA200nC @ 10V9800pF @ 100V400Wсквозное отверстиеК - 247-3К - 247-3
AOD3N50 AOD3N50 Alpha & Omega Semiconductor Inc MOSFET N- CH 500V 2.8A TO252 Лента и Reel ( TR)-MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт500В2.8A (Tc )3 Ом @ 1.5A , 10V4.5V @ 250μA8nC @ 10V331pF @ 25V57Wдля поверхностного монтажаК - 252-3 , DPAK ( 2 Провода + Tab) , SC- 63К - 252 , (D -Pak )
IXFX24N100Q3 IXFX24N100Q3 IXYS MOSFET N- CH 1000 24А PLUS247 трубкаHiPerFET ™MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт1000 ( 1 кВ )24А (Tc )440 МОм @ 12А, 10В6.5V @ 4 мА140nC @ 10V7200pF @ 25V1000Wсквозное отверстиеК - 247-3PLUS247 ™ -3
AOD3N50 AOD3N50 Alpha & Omega Semiconductor Inc MOSFET N- CH 500V 2.8A TO252 Cut Tape (CT )-MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт500В2.8A (Tc )3 Ом @ 1.5A , 10V4.5V @ 250μA8nC @ 10V331pF @ 25V57Wдля поверхностного монтажаК - 252-3 , DPAK ( 2 Провода + Tab) , SC- 63К - 252 , (D -Pak )
IXFK320N17T2 IXFK320N17T2 IXYS MOSFET N- CH 170V 320A TO264 трубкаGigaMOS ™MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт170V320А (Tc )5,2 мОм @ 60A , 10V5V @ 8 мА640nC @ 10V45000pF @ 25V1670Wсквозное отверстиеК - 264-3 , К - 264AAК - 264AA ( IXFK )
AOD3N50 AOD3N50 Alpha & Omega Semiconductor Inc MOSFET N- CH 500V 2.8A TO252 Digi- Reel®-MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт500В2.8A (Tc )3 Ом @ 1.5A , 10V4.5V @ 250μA8nC @ 10V331pF @ 25V57Wдля поверхностного монтажаК - 252-3 , DPAK ( 2 Провода + Tab) , SC- 63К - 252 , (D -Pak )
STW88N65M5 STW88N65M5 STMicroelectronics MOSFET N- CH 650V 84A TO- 247 трубкаMDmesh ™ VMOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт650В84А (Tc )29 МОм @ 42A , 10V5V @ 250μA204nC @ 10V8825pF @ 100V450Wсквозное отверстиеК - 247-3К - 247-3
FDC8878 FDC8878 Fairchild Semiconductor MOSFET N- CH 30V 8A 6 - SSOT Лента и Reel ( TR)PowerTrench®MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень30V8A (Та) , 8А ( Тс )16 МОм @ 8A, 10V3В @ 250μA18nC @ 10V1040pF @ 15V800mWдля поверхностного монтажаSOT- 23-6 Thin , TSOT - 23-66 - SSOT
IXFX32N100Q3 IXFX32N100Q3 IXYS MOSFET N- CH 1000 32А PLUS247 трубкаHiPerFET ™MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт1000 ( 1 кВ )32А (Tc )320 МОм @ 16А, 10В6.5V @ 8 мА195nC @ 10V9940pF @ 25V1250Wсквозное отверстиеК - 247-3PLUS247 ™ -3
FDC8878 FDC8878 Fairchild Semiconductor MOSFET N- CH 30V 8A 6 - SSOT Cut Tape (CT )PowerTrench®MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень30V8A (Та) , 8А ( Тс )16 МОм @ 8A, 10V3В @ 250μA18nC @ 10V1040pF @ 15V800mWдля поверхностного монтажаSOT- 23-6 Thin , TSOT - 23-66 - SSOT
IXFR80N50Q3 IXFR80N50Q3 IXYS MOSFET N- CH 500V 50A ISOPLUS247 трубкаHiPerFET ™MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт500В50А (Tc )72 МОм @ 40A , 10V6.5V @ 8 мА200nC @ 10V10000pF @ 25V570Wсквозное отверстиеК - 247-3ISOPLUS247 ™
FDC8878 FDC8878 Fairchild Semiconductor MOSFET N- CH 30V 8A 6 - SSOT Digi- Reel®PowerTrench®MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень30V8A (Та) , 8А ( Тс )16 МОм @ 8A, 10V3В @ 250μA18nC @ 10V1040pF @ 15V800mWдля поверхностного монтажаSOT- 23-6 Thin , TSOT - 23-66 - SSOT
IXTH20N50D IXTH20N50D IXYS MOSFET N- CH 500V 20A TO- 247 трубка-MOSFET N- канал , Metal OxideРежим Истощение500В20А (Tc )330 МОм @ 10А, 10В-125nC @ 10V2500pF @ 25V400Wсквозное отверстиеК - 247-3К - 247 ( IX в )
AOD2N60 AOD2N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc MOSFET N- CH 600V 2A TO252 Лента и Reel ( TR)-MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт6002А ( Tc)4,4 Ом @ 1A, 10В4.5V @ 250μA11nC @ 10V325pF @ 25V56.8Wдля поверхностного монтажаК - 252-3 , DPAK ( 2 Провода + Tab) , SC- 63К - 252 , (D -Pak )
AOD2N60 AOD2N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc MOSFET N- CH 600V 2A TO252 Cut Tape (CT )-MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт6002А ( Tc)4,4 Ом @ 1A, 10В4.5V @ 250μA11nC @ 10V325pF @ 25V56.8Wдля поверхностного монтажаК - 252-3 , DPAK ( 2 Провода + Tab) , SC- 63К - 252 , (D -Pak )
APT94N60L2C3G APT94N60L2C3G Microsemi Power Products Group MOSFET N- CH 600V 94A TO264 трубка-MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт60094А (Tc )35 МОм @ 60A , 10V3.9V @ 5.4mA640nC @ 10V13600pF @ 25V833Wсквозное отверстиеК - 264-3 , К - 264AA264 MAX ™ [L2 ]
AOD2N60 AOD2N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc MOSFET N- CH 600V 2A TO252 Digi- Reel®-MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт6002А ( Tc)4,4 Ом @ 1A, 10В4.5V @ 250μA11nC @ 10V325pF @ 25V56.8Wдля поверхностного монтажаК - 252-3 , DPAK ( 2 Провода + Tab) , SC- 63К - 252 , (D -Pak )
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS MOSFET N- CH 600V 47A ISOPLUS247 трубкаCoolMOS ™MOSFET N- канал , Metal OxideСупер Junction60047А (Tc )45 МОм @ 44A , 10V3.5 @ 3mA190nC @ 10V6800pF @ 100V-сквозное отверстиеISOPLUS247 ™ISOPLUS247 ™
FDC608PZ FDC608PZ Fairchild Semiconductor MOSFET P -CH 20V 5.8A SSOT - 6 Лента и Reel ( TR)PowerTrench®MOSFET P -канальный , металл-оксид-Логический уровень ворота, 2.5 Drive20V5.8A (Та)30 МОм @ 5.8A , 4.5V1,5 @ 250μA23nC @ 4.5V1330pF @ 10V800mWдля поверхностного монтажаSOT- 23-6 Thin , TSOT - 23-66 - SSOT
STY139N65M5 STY139N65M5 STMicroelectronics MOSFET N- CH 650V 130A MAX247 трубкаMDmesh ™ VMOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт650В130A (Tc )17 МОм @ 65А, 10В5V @ 250μA363nC @ 10V15600pF @ 100V625Wсквозное отверстиеMAX247 ™MAX- 247
FDC608PZ FDC608PZ Fairchild Semiconductor MOSFET P -CH 20V 5.8A SSOT - 6 Cut Tape (CT )PowerTrench®MOSFET P -канальный , металл-оксид-Логический уровень20V5.8A (Та)30 МОм @ 5.8A , 4.5V1,5 @ 250μA23nC @ 4.5V1330pF @ 10V800mWдля поверхностного монтажаSOT- 23-6 Thin , TSOT - 23-66 - SSOT
IXFX44N80Q3 IXFX44N80Q3 IXYS MOSFET N- CH 800V 44A PLUS247 трубкаHiPerFET ™MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт800V44А (Tc )190 МОм @ 22А, 10В6.5V @ 8 мА185nC @ 10V9840pF @ 25V1250Wсквозное отверстиеК - 247-3PLUS247 ™ -3
FDC608PZ FDC608PZ Fairchild Semiconductor MOSFET P -CH 20V 5.8A SSOT - 6 Digi- Reel®PowerTrench®MOSFET P -канальный , металл-оксид-Логический уровень ворота, 2.5 Drive20V5.8A (Та)30 МОм @ 5.8A , 4.5V1,5 @ 250μA23nC @ 4.5V1330pF @ 10V800mWдля поверхностного монтажаSOT- 23-6 Thin , TSOT - 23-66 - SSOT
STY112N65M5 STY112N65M5 STMicroelectronics MOSFET N- CH 650V 93A MAX247 трубкаMDmesh ™ VMOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт650В96A (Tc )22 МОм @ 47A , 10V5V @ 250μA350nC @ 10V16870pF @ 100V625Wсквозное отверстиеMAX247 ™MAX- 247
AON2400 AON2400 Alpha & Omega Semiconductor Inc MOSFET N CH 8V 8А DFN 2X2B Лента и Reel ( TR)-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень ворота, 1.2V Drive8V8A (Та)11 МОм @ 8A, 2.5В460mV @ 250μA16nC @ 4.5V1645pF @ 4V2.8Wдля поверхностного монтажа6 - UDFN Открытые Pad6 - DFN ( 2x2 )
STY145N65M5 STY145N65M5 STMicroelectronics MOSF N CH 650V 138A MAX247 трубкаMDmesh ™ VMOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт650В138A (Tc )15 Ом @ 69A , 10V5V @ 250μA414nC @ 10V18500pF @ 100V625Wсквозное отверстиеMAX247 ™MAX- 247
AON2400 AON2400 Alpha & Omega Semiconductor Inc MOSFET N CH 8V 8А DFN 2X2B Cut Tape (CT )-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень ворота, 1.2V Drive8V8A (Та)11 МОм @ 8A, 2.5В460mV @ 250μA16nC @ 4.5V1645pF @ 4V2.8Wдля поверхностного монтажа6 - UDFN Открытые Pad6 - DFN ( 2x2 )
IXFL38N100Q2 IXFL38N100Q2 IXYS MOSFET N- CH 1000 29A ISOPLUS264 трубкаHiPerFET ™MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт1000 ( 1 кВ )29А (Tc )280 МОм @ 19A , 10V5.5V @ 8 мА250nC @ 10V13500pF @ 25V380Wсквозное отверстиеISOPLUS264 ™ISOPLUS264 ™
AON2400 AON2400 Alpha & Omega Semiconductor Inc MOSFET N CH 8V 8А DFN 2X2B Digi- Reel®-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень ворота, 1.2V Drive8V8A (Та)11 МОм @ 8A, 2.5В460mV @ 250μA16nC @ 4.5V1645pF @ 4V2.8Wдля поверхностного монтажа6 - UDFN Открытые Pad6 - DFN ( 2x2 )
2V7002KT1G 2V7002KT1G ON Semiconductor MOSFET N- CH 60V 320MA SOT- 23-3 Лента и Reel ( TR)-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень60V320mA ( Ta)1,6 Ом @ 500 мА , 10 В2.3V @ 250μA0.7nC @ 4.5V24.5pF @ 20V300mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23
RTF015N03TL RTF015N03TL Rohm Semiconductor MOSFET N- CH 30V 1.5A TUMT3 Лента и Reel ( TR)-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень ворота, 2.5 Drive30V1.5A (Та)240 МОм @ 1.5A , 4.5V1,5 @ 1 мА2.2nC @ 4.5V80pF @ 10V800mWдля поверхностного монтажа3 -SMD , плоские покупкаTUMT3
2V7002KT1G 2V7002KT1G ON Semiconductor MOSFET N- CH 60V 320MA SOT- 23-3 Cut Tape (CT )-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень60V320mA ( Ta)1,6 Ом @ 500 мА , 10 В2.3V @ 250μA0.7nC @ 4.5V24.5pF @ 20V300mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23
RTF015N03TL RTF015N03TL Rohm Semiconductor MOSFET N- CH 30V 1.5A TUMT3 Cut Tape (CT )-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень ворота, 2.5 Drive30V1.5A (Та)240 МОм @ 1.5A , 4.5V1,5 @ 1 мА2.2nC @ 4.5V80pF @ 10V800mWдля поверхностного монтажа3 -SMD , плоские покупкаTUMT3
2V7002KT1G 2V7002KT1G ON Semiconductor MOSFET N- CH 60V 320MA SOT- 23-3 Digi- Reel®-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень60V320mA ( Ta)1,6 Ом @ 500 мА , 10 В2.3V @ 250μA0.7nC @ 4.5V24.5pF @ 20V300mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23
RTF015N03TL RTF015N03TL Rohm Semiconductor MOSFET N- CH 30V 1.5A TUMT3 Digi- Reel®-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень ворота, 2.5 Drive30V1.5A (Та)240 МОм @ 1.5A , 4.5V1,5 @ 1 мА2.2nC @ 4.5V80pF @ 10V800mWдля поверхностного монтажа3 -SMD , плоские покупкаTUMT3
SN7002N H6327 SN7002N H6327 Infineon Technologies MOSFET N- CH 60V 200MA SOT23 Лента и Reel ( TR)SIPMOS®MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень60V200 мА ( Ta)5 Ом @ 500 мА , 10 В1,8 @ 26μA1.5nC @ 10V45 пкФ @ 25V360mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3PG- SOT23-3
FQT4N20LTF FQT4N20LTF Fairchild Semiconductor MOSFET N- CH 200V 0.85A SOT- 223 Лента и Reel ( TR)QFET®MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт200В850mA1,35 Ом @ 425mA , 10V2В @ 250μA5.2nC @ 5V310pF @ 25V2.2Wдля поверхностного монтажаК - 261-4 , К - 261AASOT- 223-4
SN7002N H6327 SN7002N H6327 Infineon Technologies MOSFET N- CH 60V 200MA SOT23 Cut Tape (CT )SIPMOS®MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень60V200 мА ( Ta)5 Ом @ 500 мА , 10 В1,8 @ 26μA1.5nC @ 10V45 пкФ @ 25V360mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3PG- SOT23-3
FQT4N20LTF FQT4N20LTF Fairchild Semiconductor MOSFET N- CH 200V 0.85A SOT- 223 Cut Tape (CT )QFET®MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт200В850mA1,35 Ом @ 425mA , 10V2В @ 250μA5.2nC @ 5V310pF @ 25V2.2Wдля поверхностного монтажаК - 261-4 , К - 261AASOT- 223-4
SN7002N H6327 SN7002N H6327 Infineon Technologies MOSFET N- CH 60V 200MA SOT23 Digi- Reel®SIPMOS®MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень60V200 мА ( Ta)5 Ом @ 500 мА , 10 В1,8 @ 26μA1.5nC @ 10V45 пкФ @ 25V360mWдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3PG- SOT23-3
FQT4N20LTF FQT4N20LTF Fairchild Semiconductor MOSFET N- CH 200V 0.85A SOT- 223 Digi- Reel®QFET®MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт200В850mA1,35 Ом @ 425mA , 10V2В @ 250μA5.2nC @ 5V310pF @ 25V2.2Wдля поверхностного монтажаК - 261-4 , К - 261AASOT- 223-4
NTK3043NT1G NTK3043NT1G ON Semiconductor MOSFET N- CH 20V 210MA SOT -723 Лента и Reel ( TR)-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень20V210mA (Та)3,4 Ом @ 10 мА , 4.5V1.3V @ 250μA-11pF @ 10V310mWдля поверхностного монтажаSOT -723SOT -723
RTL035N03TR RTL035N03TR Rohm Semiconductor MOSFET N- CH 30V 3.5A TUMT6 Лента и Reel ( TR)-MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт30V3.5A (Та)56 МОм @ 3.5A , 4.5V1,5 @ 1 мА6.4nC @ 4.5V350pF @ 10V1Wдля поверхностного монтажа6 -SMD , плоские покупкаTUMT6
NTK3043NT1G NTK3043NT1G ON Semiconductor MOSFET N- CH 20V 210MA SOT -723 Cut Tape (CT )-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень20V210mA (Та)3,4 Ом @ 10 мА , 4.5V1.3V @ 250μA-11pF @ 10V310mWдля поверхностного монтажаSOT -723SOT -723
RTL035N03TR RTL035N03TR Rohm Semiconductor MOSFET N- CH 30V 3.5A TUMT6 Cut Tape (CT )-MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт30V3.5A (Та)56 МОм @ 3.5A , 4.5V1,5 @ 1 мА6.4nC @ 4.5V350pF @ 10V1Wдля поверхностного монтажа6 -SMD , плоские покупкаTUMT6
NTK3043NT1G NTK3043NT1G ON Semiconductor MOSFET N- CH 20V 210MA SOT -723 Digi- Reel®-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень20V210mA (Та)3,4 Ом @ 10 мА , 4.5V1.3V @ 250μA-11pF @ 10V310mWдля поверхностного монтажаSOT -723SOT -723
RTL035N03TR RTL035N03TR Rohm Semiconductor MOSFET N- CH 30V 3.5A TUMT6 Digi- Reel®-MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт30V3.5A (Та)56 МОм @ 3.5A , 4.5V1,5 @ 1 мА6.4nC @ 4.5V350pF @ 10V1Wдля поверхностного монтажа6 -SMD , плоские покупкаTUMT6
DMN21D2UFB-7B DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated MOSFET N CH 20V 3DFN Лента и Reel ( TR)-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень20V760mA (Та)990 МОм @ 100mA , 4.5V1В @ 250μA0.93nC @ 10V27.6pF @ 16V900 МВтдля поверхностного монтажа3 - XFDFN3-DFN1006 ( 1.0x0.6 )
PMV213SN,215 PMV213SN,215 NXP Semiconductors MOSFET N- CH 100V 1.9A SOT23 Лента и Reel ( TR)TrenchMOS ™MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень100V1.9A250 МОм @ 500mA , 10V4V @ 1 мА7nC @ 10V330pF @ 20V2Wдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
DMN21D2UFB-7B DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated MOSFET N CH 20V 3DFN Cut Tape (CT )-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень20V760mA (Та)990 МОм @ 100mA , 4.5V1В @ 250μA0.93nC @ 10V27.6pF @ 16V900 МВтдля поверхностного монтажа3 - XFDFN3-DFN1006 ( 1.0x0.6 )
PMV213SN,215 PMV213SN,215 NXP Semiconductors MOSFET N- CH 100V 1.9A SOT23 Cut Tape (CT )TrenchMOS ™MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень100V1.9A250 МОм @ 500mA , 10V4V @ 1 мА7nC @ 10V330pF @ 20V2Wдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
DMN21D2UFB-7B DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated MOSFET N CH 20V 3DFN Digi- Reel®-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень20V760mA (Та)990 МОм @ 100mA , 4.5V1В @ 250μA0.93nC @ 10V27.6pF @ 16V900 МВтдля поверхностного монтажа3 - XFDFN3-DFN1006 ( 1.0x0.6 )
PMV213SN,215 PMV213SN,215 NXP Semiconductors MOSFET N- CH 100V 1.9A SOT23 Digi- Reel®TrenchMOS ™MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень100V1.9A250 МОм @ 500mA , 10V4V @ 1 мА7nC @ 10V330pF @ 20V2Wдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
DMN2500UFB4-7 DMN2500UFB4-7 Diodes Incorporated MOSFET N- CH 20V 810A 3DFN Лента и Reel ( TR)-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень20V810mA (Та)400 МОм @ 600mA , 4.5V1В @ 250μA0.74nC @ 4.5V60.67pF @ 16V460mWдля поверхностного монтажа3 - XFDFN3 - X2- DFN1006
DMN2500UFB4-7 DMN2500UFB4-7 Diodes Incorporated MOSFET N- CH 20V 810A 3DFN Cut Tape (CT )-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень20V810mA (Та)400 МОм @ 600mA , 4.5V1В @ 250μA0.74nC @ 4.5V60.67pF @ 16V460mWдля поверхностного монтажа3 - XFDFN3 - X2- DFN1006
FQT7N10TF FQT7N10TF Fairchild Semiconductor MOSFET N- CH 100V 1.7A SOT- 223 Лента и Reel ( TR)QFET®MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт100V1.7A (Tc )350 МОм @ 850mA , 10V4V @ 250μA7.5nC @ 10V250pF @ 25V2Wдля поверхностного монтажаК - 261-4 , К - 261AASOT- 223-3
DMN2500UFB4-7 DMN2500UFB4-7 Diodes Incorporated MOSFET N- CH 20V 810A 3DFN Digi- Reel®-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень20V810mA (Та)400 МОм @ 600mA , 4.5V1В @ 250μA0.74nC @ 4.5V60.67pF @ 16V460mWдля поверхностного монтажа3 - XFDFN3 - X2- DFN1006
FQT7N10TF FQT7N10TF Fairchild Semiconductor MOSFET N- CH 100V 1.7A SOT- 223 Cut Tape (CT )QFET®MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт100V1.7A (Tc )350 МОм @ 850mA , 10V4V @ 250μA7.5nC @ 10V250pF @ 25V2Wдля поверхностного монтажаК - 261-4 , К - 261AASOT- 223-3
FQT7N10TF FQT7N10TF Fairchild Semiconductor MOSFET N- CH 100V 1.7A SOT- 223 Digi- Reel®QFET®MOSFET N- канал , Metal Oxideстандарт100V1.7A (Tc )350 МОм @ 850mA , 10V4V @ 250μA7.5nC @ 10V250pF @ 25V2Wдля поверхностного монтажаК - 261-4 , К - 261AASOT- 223-3
2N7002BKT,115 2N7002BKT,115 NXP Semiconductors MOSFET N- CH 60V 290MA SOT416 Лента и Reel ( TR)-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень60V290mA (Та)1,6 Ом @ 500 мА , 10 В2.1V @ 250μA0.6nC @ 4.5V50пФ @ 10V260mWдля поверхностного монтажаSC- 75 , SOT- 416SC- 75
ZXMN2A14FTA ZXMN2A14FTA Diodes Incorporated MOSFET N- CH 20V 3.4A SOT23-3 Лента и Reel ( TR)-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень20V3.4A (Та)60 МОм @ 3.4A , 4.5V700mV @ 250μA6.6nC @ 4.5V544pF @ 10V1Wдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
2N7002BKT,115 2N7002BKT,115 NXP Semiconductors MOSFET N- CH 60V 290MA SOT416 Cut Tape (CT )-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень60V290mA (Та)1,6 Ом @ 500 мА , 10 В2.1V @ 250μA0.6nC @ 4.5V50пФ @ 10V260mWдля поверхностного монтажаSC- 75 , SOT- 416SC- 75
ZXMN2A14FTA ZXMN2A14FTA Diodes Incorporated MOSFET N- CH 20V 3.4A SOT23-3 Cut Tape (CT )-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень20V3.4A (Та)60 МОм @ 3.4A , 4.5V700mV @ 250μA6.6nC @ 4.5V544pF @ 10V1Wдля поверхностного монтажаК - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3SOT- 23-3
2N7002BKT,115 2N7002BKT,115 NXP Semiconductors MOSFET N- CH 60V 290MA SOT416 Digi- Reel®-MOSFET N- канал , Metal OxideЛогический уровень60V290mA (Та)1,6 Ом @ 500 мА , 10 В2.1V @ 250μA0.6nC @ 4.5V50пФ @ 10V260mWдля поверхностного монтажаSC- 75 , SOT- 416SC- 75
Go to page: