Главная » Индекс продукции » Дискретные полупроводники » Программируемый Однопереходные Транзисторы (кладет )
покупать PDF Фото Номер в каталоге/ фото Производители Описание сериянапряжениеРассеиваемая мощность (макс )Напряжение питания - ВыходНапряжение - Смещение ( Вт )В настоящее время - ворота к аноду утечки ( Igao )В настоящее время - Долина (IV )В настоящее время - пикУпаковка /
2N6027RLRAG 2N6027RLRAG ON Semiconductor ТИРИСТОР PROG UNIJUNCT 40V TO92 -40V300mW11V1.6V10nA50 мкА2 мкАК - 226-3 , К - 92-3 (ТО- 226AA ) , образованных потенциальных
2N6027RLRAG 2N6027RLRAG ON Semiconductor ТИРИСТОР PROG UNIJUNCT 40V TO92 -40V300mW11V1.6V10nA50 мкА2 мкАК - 226-3 , К - 92-3 (ТО- 226AA ) , образованных потенциальных
2N6028RLRAG 2N6028RLRAG ON Semiconductor ТИРИСТОР PROG UNIJUNCT 40V TO92 -40V300mW11V600 мВ10nA25μA150nAК - 226-3 , К - 92-3 (ТО- 226AA ) , образованных потенциальных
2N6028RLRAG 2N6028RLRAG ON Semiconductor ТИРИСТОР PROG UNIJUNCT 40V TO92 -40V300mW11V600 мВ10nA25μA150nAК - 226-3 , К - 92-3 (ТО- 226AA ) , образованных потенциальных
2N6027RL1G 2N6027RL1G ON Semiconductor ТИРИСТОР PROG UNIJUNCT 40V TO92 -40V300mW11V1.6V10nA50 мкА2 мкАК - 226-3 , К - 92-3 (ТО- 226AA ) , образованных потенциальных
2N6027RL1G 2N6027RL1G ON Semiconductor ТИРИСТОР PROG UNIJUNCT 40V TO92 -40V300mW11V1.6V10nA50 мкА2 мкАК - 226-3 , К - 92-3 (ТО- 226AA ) , образованных потенциальных
2N6027RL1G 2N6027RL1G ON Semiconductor ТИРИСТОР PROG UNIJUNCT 40V TO92 -40V300mW11V1.6V10nA50 мкА2 мкАК - 226-3 , К - 92-3 (ТО- 226AA ) , образованных потенциальных
2N6027G 2N6027G ON Semiconductor TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92 -40V300mW11V1.6V10nA50 мкА2 мкАК - 226-3 , К - 92-3 (ТО- 226AA )
2N6028G 2N6028G ON Semiconductor ТИРИСТОР PROG UNIJUNCT 40V TO92 -40V300mW11V600 мВ10nA25μA150nAК - 226-3 , К - 92-3 (ТО- 226AA )
2N6028RLRMG 2N6028RLRMG ON Semiconductor ТИРИСТОР PROG UNIJUNCT 40V TO92 -40V300mW11V600 мВ10nA25μA150nAК - 226-3 , К - 92-3 (ТО- 226AA ) , образованных потенциальных
2N6028RLRMG 2N6028RLRMG ON Semiconductor ТИРИСТОР PROG UNIJUNCT 40V TO92 -40V300mW11V600 мВ10nA25μA150nAК - 226-3 , К - 92-3 (ТО- 226AA ) , образованных потенциальных
2N6028RLRPG 2N6028RLRPG ON Semiconductor ТИРИСТОР PROG UNIJUNCT 40V TO92 -40V300mW11V600 мВ10nA25μA150nAК - 226-3 , К - 92-3 (ТО- 226AA ) , образованных потенциальных
2N6028RLRPG 2N6028RLRPG ON Semiconductor ТИРИСТОР PROG UNIJUNCT 40V TO92 -40V300mW11V600 мВ10nA25μA150nAК - 226-3 , К - 92-3 (ТО- 226AA ) , образованных потенциальных
2N6027RLRA 2N6027RLRA ON Semiconductor ТИРИСТОР PROG UNIJUNCT 40V TO92 -40V300mW11V1.6V10nA50 мкА2 мкАК - 226-3 , К - 92-3 (ТО- 226AA ) , образованных потенциальных
2N6028RLRA 2N6028RLRA ON Semiconductor ТИРИСТОР PROG UNIJUNCT 40V TO92 -40V300mW11V600 мВ10nA25μA150nAК - 226-3 , К - 92-3 (ТО- 226AA ) , образованных потенциальных
2N6027RL1 2N6027RL1 ON Semiconductor ТИРИСТОР PROG UNIJUNCT 40V TO92 -40V300mW11V1.6V10nA50 мкА2 мкАК - 226-3 , К - 92-3 (ТО- 226AA ) , образованных потенциальных
2N6028RLRP 2N6028RLRP ON Semiconductor ТИРИСТОР PROG UNIJUNCT 40V TO92 -40V300mW11V600 мВ10nA25μA150nAК - 226-3 , К - 92-3 (ТО- 226AA ) , образованных потенциальных